DMN3070SSN-7 SOT-23 丝印N70 30V 4.2A N道沟MOS管场效应管 型号:DMN3070SSN-7 包装:3000/盘 类别:分立半导体产品 产品族:晶体管FET MOSFET 单 FET类型:N沟道 技术:MOSFET 金属氧化物 漏源电压:30V 连续漏较电流:4.2A 驱动电压:4.5V-10V 不同 Id,Vgs 时的 Rds On:40 毫欧 @ 4.2A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th):2.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅较电荷:13.2nC @ 10V Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容:697pF @ 15V 功率耗散:780mW 工作温度:-55°C -150°C 封装:SOT-23-3