FQD16N25CTM FQD16N25C TO-252 250V 16A MOS管场效应管

FQD16N25CTM FQD16N25C TO-252 250V 16A MOS管场效应管
型号：FQD16N25C
包装：2500/盘
类别：分立半导体
产品族：晶体管FET MOSFET 单
系列:QFET
FET类型：N沟道
类别：MOSFET 金属氧化物
漏源电压：250V
连续漏较电流：16A
驱动电压：10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On：270 毫欧 @ 8A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）：4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅较电荷 ：53.5nC @ 10V
Vgs：±30V
不同 Vds 时的输入电容：1080pF @ 25V
功率耗散：160W
工作温度：-55°C ~ 150°C
封装：DPAK TO-252-3